Схема стабилизатора на коммутируемых конденсаторах

схема стабилизатора на коммутируемых конденсаторах
Прекрасное решение предложили умные головы фирмы Linear Technology, которые придумали — ИС нижних частот с точным значением постоянной составляющей» (или с улучшенным напряжением смещения). На рис. 5.27 показан способ ее включения. Время разряда определяется обыкновенной формулой: Для того, чтобы следующий раз не делать все вышеперечисленные расчёты, выведем окончательную формулу расчёта ёмкости конденсатора схемы бестрансформаторного (конденсаторного) питания. При условии, что весь полученный заряд передается на выход, коэффициент полезного действия ППК равен отношению выходного напряжения к напряжению холостого хода. Один из путей реализации этих способов состоит в применении схем с переключаемыми конденсаторами. Принципиальная трудность создания таких приборов заключается в том, что силовые транзисторы рассеивают значительную энергию, вызывая тем самым нагрев кристалла с существенным градиентом температур. Упражнение 5.6. Получить представленные на рис. 5.25 уравнения.


Эти недостатки во многом устранены в ИМС устройства выборки — хранения LF398 (отечественный аналог — 1100СК2), которая в течение многих лет была по существу промышленным стандартом. Схемы на переключаемых конденсаторах — обширный класс схемотехнических решений, основанный на периодической коммутации конденсаторов. Есть два основных критерия для оценки степени балансировки ячеек:1. Выравнивание напряжения на ячейках,2. Выравнивание заряда в ячейках.Достигать своих целей в достижении этих методов балансирования также можно двумя способами:1. Пассивным и2. Активным.

Первое, как было указано ранее, он может быть менее дорогим при реализации на кремниевой подложке, так как коэффициент передачи самого интегратора зависит только от отношения двух конденсаторов, а не их индивидуальных значений. Вся схема включена в сеть 220 вольт постоянно, а реле Р1 включается в цепь и выключается с помощью выключателя S1. В качестве выключателя может быть и полупроводниковый прибор, например транзистор. Это позволило сформировать проволочную перемычку под углом α = 450° (рис. 10) и уменьшить дефектность микросварного соединения. Глубина углубления находилась в пределах 60–70% толщины кристалла. При пропадании питающего напряжения или отключении источника питания напряжение VOUT будет вырабатываться из напряжения аккумулятора V+. Изменение частоты генератора ICL7660 Параметры рассмотренных преобразователей зависят от частоты генератора микросхемы.

Похожие записи: